Адміністрація вирішила продати даний сайт. За детальною інформацією звертайтесь за адресою: rozrahu@gmail.com

Розрахункова робота Завдання №1

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано

Інформація про роботу

Рік:
2011
Тип роботи:
Розрахункова робота
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка

Частина тексту файла

Міністерство освіти та науки України Національний університет “Львівська політехніка” / Розрахункова робота Завдання №1 з навчальної дисципліни "Електроніка та мікросхемотехніка" Львів 2011 1. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення в схемі зі спільним емітером 1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером за постійним струмом Завдання:1 Таблиця 1 № вар. PН (Вт) RН (кОм) Uвих.m (В) МН (дб) fН (Гц) fВ (кГц) RГ (кОм) TОС (оС)  34 - 5 20 1,5 20 50 0,5 +10 ( + 40    Рис.1. Схема транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні  Вибираємо значення струму колектора транзистора в режимі спокою  Приймаємо значення струму спокою колектора  і знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора в режимі спокою  де  – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає  Розраховуємо напруги живлення підсилювального каскаду  Приймаємо значення напруги живлення  (див. додаток 1). При виборі типу транзистора керуємося такими вимогами:  ; кГц Вибираємо тип транзистора Параметри транзистора: Таблиця 2 Тип транзистора fα, МГц h21e, (β) Ск, пФ τкб, пс Ік.0, мкА Uке.макс, В Ік.доп, А Pк.доп, Вт Rt.пк, оС/Вт  КТ630Б 50 80-240 15  1 80 1,0 1,0 156  Вибираємо резистори: Резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром типу С2-33, які призначені для роботи в колах постійного, змінного та імпульсного струму. Параметри резисторів: Таблиця 3 Тип резистора Номінальна потужність, Вт Діапазон номінальних опорів, Ом Розміри, мм     D L l d   C2-33 0,125 1 - 3,01·106 2,2 6,0  20  0,6   0,25 1 - 5,11·106 3,0 7,0     0,5 1 - 5,11·106 4,2 10,2  25  0,8   1,0 1 - 10·106 6,7 13,0     2,0 1 - 10·106 8,8 18,5  1,0  Примітка. Проміжні значення номінальних значень опорів відповідають ряду ряду Е24 з допусками ±5 ; ±10%.   Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі  в режимі спокою  Розраховуємо значення опору резистора в колі емітера  Номінальні значення розрахованих резисторів вибираємо з стандартного ряду Е24 (див. додаток1). Re=2,4кОм; тип резистора C2-33-0,125-2,4кОм±5% Розраховуємо значення опору резистора в колі колектора  Номінальні значення резистора Rк=5,6 кОм; тип резистора C2-33-0,25-5,6кОм±5% Визначаємо значення струму бази транзистора в режимі спокою  Задаємося струмом базового подільника напруги  і розраховуємо значення опорів резисторів  і  Приймаємо:  ;    Згідно стандартного ряду Е24 приймаємо: 130кОм =51кОм; тип резисторів R1: C2-33-0,125-130кОм±5%; R2: C2-33-0,125-51кОм±5% Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги . Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності  Розраховуємо значення приросту зворотного струму колектора  при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні . Для кремнієвих транзисторів  де  – значення зворотного струму колектора транзистора при відомій температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища  в заданому діапазоні  де  – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 мВ / oC. Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі зі спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на   де  – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі зі спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих ф...
Антиботан аватар за замовчуванням

02.04.2012 16:04

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Завантаження файлу

Якщо Ви маєте на своєму комп'ютері файли, пов'язані з навчанням( розрахункові, лабораторні, практичні, контрольні роботи та інше...), і Вам не шкода ними поділитись - то скористайтесь формою для завантаження файлу, попередньо заархівувавши все в архів .rar або .zip розміром до 100мб, і до нього невдовзі отримають доступ студенти всієї України! Ви отримаєте грошову винагороду в кінці місяця, якщо станете одним з трьох переможців!
Стань активним учасником руху antibotan!
Поділись актуальною інформацією,
і отримай привілеї у користуванні архівом! Детальніше

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

пропонує роботу

Admin

26.02.2019 12:38

Привіт усім учасникам нашого порталу! Хороші новини - з‘явилась можливість кожному заробити на своїх знаннях та вміннях. Тепер Ви можете продавати свої роботи на сайті заробляючи кошти, рейтинг і довіру користувачів. Потрібно завантажити роботу, вказати ціну і додати один інформативний скріншот з деякими частинами виконаних завдань. Навіть одна якісна і всім необхідна робота може продатися сотні разів. «Головою заробляти» продуктивніше ніж руками! :-)

Новини